Исследованы профили трансмутационных радионуклидов, созданных в арсениде галлия, фосфиде галлия и арсениде индия облучением alpha-частицами с энергией E₀=20 МэВ (поток 6· 10¹¹ см^-2·с^-1, время облучения 1 ч). Профили определялись сошлифовыванием слоев (толщиной 2-10 мкм) и их радиометрией с использованием калиброванного гамма-спектрометра с Ge(Li)-детектором. Исследовались радионуклиды ⁷¹As, ⁷²As и ⁷⁴As в GaAs и GaP и ⁷⁷Br в GaAs и InAs. Глубина, на которой наблюдались радионуклиды, составляет ~30 мкм для ⁷¹As и ⁷⁷Bг и достигает 80-100 мкм для ⁷²As и ⁷⁴As. Профили одного и того же нуклида в разных матрицах по форме идентичны: профили ⁷¹As и ⁷⁷Bг являются монотонными кривыми, а профили ⁷²As и ⁷⁴As имеют пологий максимум. В GaP глубина профилей As больше, чем в GaAs, тогда как профили Bг в GaAs и InAs различаются слабо. Дана качественная интерпретация отмеченных особенностей профилей, основанная на учете зависимости сечения ядерных реакций, приводящих к образованию трансмутационных нуклидов, от локальной энергии alpha-частиц, а также на учете характера изменения этой энергии с глубиной. С использованием профилей концентрации трансмутационных нуклидов определена энергетическая зависимость сечения ядерных реакций, приводящих к образованию этих нуклидов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.