Теоретически исследовано влияние магнитного поля H на состояния экситона в полупроводниковой квантовой яме в режиме образования на фоне континуума осциллирующей структуры магнитопоглощения, представляющей собой суперпозицию состояний диамагнитного экситона (магнитоэкситона), привязанных к взаимодействующим в оптических переходах подзонам Ландау. Энергии таких переходов образуют серии "веерных" диаграмм, сходящихся при H=0 к положениям экситонных состояний, образованных на уровнях квантовой ямы. В адиабатическом приближении выполнен вариационный расчет, пригодный для анализа диамагнитных экситонов, связанных с различными уровнями квантовой ямы, применимость которого не ограничивается требованием сильного поля. Вычислены также сила осциллятора переходов и радиационное время жизни экситона в зависимости от магнитного поля. В режиме сильного поля (beta>1) энергии связи диамагнитных экситонов на различных квантово-размерных уровнях и различных уровнях Ландау вычислены в адиабатическом приближении по теории возмущений. При ряде упрощающих предположений получены также приближенные аналитические формулы, которые дают сравнимые результаты с известной формулой Акимото и Хасегавы, но учитывают ширину и квантовые числа состояний квантовой ямы. Выполнено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными, полученными в периодической структуре (N=20) с квантовыми ямами (L_z=130 Angstrem) в системе GaAs/Al_0.3Ga_0.7As, позволяющее построить реалистическую картину подзон Ландау, что дает возможность анализировать детали зонной структуры материала при переходе от 3D-состояния к 2D-состоянию.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.