Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции гетероструктуры In_0.13Ga_0.87As/GaAs с тремя одиночными квантовыми ямами шириной в 20, 37 и 63 Angstrem, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментальные результаты сопоставлены с аналогичными данными для других гетеросистем. По интенсивности люминесценция из ям превосходила излучение из слоев GaAs на 2-3 порядка, полуширина экситонной линии из ямы в 37 Angstrem составляла 1.4 мэВ, что находится на уровне лучших опубликованных данных для ям с сопоставимыми размерами. Проведен расчет зависимости полуширины линии экситонной люминесценции структур In_0.13Ga_0.87As/GaAs от ширины квантовой ямы для механизмов уширения, связанных с флуктуациями состава и "островковыми" флуктуациями ширины ямы. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о высоком качестве квантовых ям с ширинами 37 и 63 Angstrem, в которых доминирующим механизмом уширения экситонной линии является неоднородность состава твердого раствора с характерным пространственным размером флуктуаций (8/10) Angstrem и дисперсией sigma =~1·10^-3. Обнаружены экситонные пики, обусловленные рекомбинацией экситонов, связанных на нейтральных примесях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.