Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ) изучены процессы дефектообразования в низкоомных (с концентрацией доноров N_D=2.9· 10¹⁷ см^-3 монокристаллах n=ZnSe, облученных неколлимированным пучком alpha-частиц от источника ²¹⁹Po (4.5/ 5.3 МэВ), плотность потока 2· 10⁸ см^-2с^-1. В исходных кристаллах обнаружены обусловленные термодефектами электронные ловушки с энергиями 0.27 и 0.30 эВ. При облучении вводятся электронные ловушки с энергиями 0.27, 0.30, 0.40, 0.7/ 0.9 эВ, а также серия дырочных ловушек с энергиями 0.3/ 0.7 эВ. Для электронных ловушек с энергией 0.30 эВ наблюдается линейная дозовая зависимость концентрации со скоростью введения 180 см^-1. Показано, что изменение основных параметров диодов Ag-ZnSe при облучении (увеличение высоты барьера, уменьшение емкости, рост последовательного сопротивления) обусловлено образованием поверхностного компенсированного слоя полупроводника с проводимостью, близкой к собственной. Это связано с большей скоростью введения при облучении дефектов акцепторного типа (вакансий цинка и комплексов с их участием) и компенсации ими мелких доноров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.