Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект переключения на границе раздела полупроводник-полупроводник

Углянец В.В.¹, Федотов А.К.¹

¹Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь

Поступила в редакцию: 16 сентября 1992 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Исследованы низкотемпературные вольт-амперные характеристики (ВАХ) в кристаллах профилированного кремния, измеренные при пропускании электрического тока вдоль плоскости одиночной электрически активной границы зерен. В области температур 4-25 K, когда проводимость по зернам практически выморожена, такие ВАХ характеризуются наличием особенности в виде скачка тока.

Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках. М. (1974)
А.В. Артемьев, С.С. Горелик, Б.Н. Евтодий и др. Изв. АН СССР. Сер. физ., 52, 1951 (1988)
А.В. Артемьев, С.С. Горелик, Б.Н. Евтодий и др. Препринт ИПТМ и ОМ АН СССР. Черноголовка (1989)
A.K. Fedotov, B.N. Evtody, E.A. Katz, Ju.M. Ilyashuk. Phys. St. Sol. (a), 119, 523 (1990)
A Fedotov, B. Evtody, E. Katz et al. J. Cryst. Grouth, 104, 186 (1990)
А.К. Федотов, Б.Н. Евтодий, Е.А. Кац, Ю.М. Ильяшук. Тез. докл. VII Всес. конф. по физике полупроводников, ч. 2, 267. Киев (23--25 октября 1990)
А.К. Федотов, Ю.М. Ильяшук, Б.Н. Евдотий, Е.А. Кац. Электрон. техн. Материалы, N 7(261), 12(1991)
В.А. Шендеровский, Д.А. Диалло, А.К. Федотов и др. Препринт N 15. ИФ АН УССР, 3. Киев (1986)
H.F. Matare. J. Appl. Phys., 59, 97 (1986)
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение (под ред. Г. Харбеке). М. (1989)
L.L. Kazmerski, P.E. Russel., Coll., 43, suppl., 172 (1982)
S. Pizzini. Silicon processing for photovoltaics (ed. by C.P. Khaffak, K.G. Ravi), 167. Elsevier Science Publishers (1985)
Д.А. Джульде, В.П. Добрего, Ю.М. Ильяшук, Е.Н. Радевич, А.К. Федотов. ФТТ J.Phys. 30, 2391 (1988)
J. Krempaski, J. Bednarik. Acta. Phys. Slov., N 2, 139 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель