Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изучение плотности глубоких состояний в пленках alpha-As₂Se₃ методом вольт-фарадных характеристик

Симашкевич А.А.¹, Шутов С.Д.¹

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physic of Chisinau State University, Chisinau, MD-2028, Moldova

Поступила в редакцию: 26 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Вольт-фарадные характеристики барьера Шоттки, образованного между алюминиевым электродом и пленкой стеклообразного селенида мышьяка, снятые в интервале частот 10^-1/10^-3 с^-1 и диапазоне температур 290/400 K, проанализированы на основе теории Балберга (I.Balberg. J. Appl. Phys., 58, 2603 (1985) ) с целью определения энергетической зависимости плотности глубоких локализованных состояний. Согласно полученным данным, плотность состояний по мере удаления от валентной зоны возрастает от 7· 10¹⁵ см^-3эВ^-1 на уровне Ферми до величины 3· 10²⁰ см^-3эВ^-1 при энергии на 0.22 эВ выше него, после чего остается практически постоянной на протяжении 0.15 эВ.

Yu.M. Galperin, V.G. Karpov, V.I. Kozub. Adv. Phys., \bf 38, 669 (1989)
D. Monroe, M.A. Kastner. Phys. Rev. B, 33, 8881 (1986)
G.J. Adriaenssens. Phil. Mag., B62, 79 (1990)
M. Hamman, G.J. Adriaenssens, W. Grevendonk. J. Phys. C: Sol. St. Phys., \bf 18, 2151 (1985)
R.P. Barclay, J.M. Marshall, C. Main. J. Non-Cryst. Sol., \bf 77--78, 1269 (1985)
A.M. Andriesh, S.A. Malkov, V.I. Verlan, N.A. Gumenuk. Phys. St. Sol. (b), \bf 163, k39 (1991)
Г.А. Бордовский, М.Р. Каничев. ФТП, 24, 527 (1990)
R.P. Barclay, M. Sarr, J.L. Brebner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 97--98, 687 (1987)
I. Balberg. J. Appl. Phys., 58, 2603 (1985)
I. Balberg, E. Gal. J. Appl. Phys., 58, 2617 (1985)
M. Khun. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
P. Muller. Phys. St. Sol. (a), 67, 873 (1981)
D. Jousse, S. Deleonibus. J. Appl. Phys., 54, 4001 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель