Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Связь <<дефектной>> электролюминесценции в 6 H-SiC с глубокими центрами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
В p-n-структурах, полученных на основе 6H-SiC различными технологическими методами, исследованы спектры электролюминесценции и параметры глубоких центров. Обнаружено, что при наличии в таких структурах глубоких акцепторов типа i-центров (Ev+0.52 эВ) максимум электролюминесценции p-n-структур находится в зеленой области спектра (hnu~ 2.35 эВ). Проведено исследование интенсивности электролюминесценции от плотности прямого тока J и температуры. Показано, что с увеличением J происходит смещение максимума электролюминесценции в коротковолновую область (~30 нм), а ее релаксация носит неэкспоненциальный характер. Сравнение различных моделей для излучательной рекомбинации показало, что наилучшее соответствие расчетов и экспериментов дает донорно-акцепторная модель рекомбинации, в которой в качестве акцепторного уровня рассматривался i-центр, а в качестве донора - уровень азота.
- В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 6, 1602 (1966)
- В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
- Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
- L. Patrik, W.J. Choyke. Phys. Rev. B., 5, 3253 (1972)
- В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 3393 (1966)
- В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
- В.М. Гусев, К.Д. Демаков, М.Г. Косагонова, М.Б. Рейфман, В.Г. Столярова. ФТП, \bf 9, 1238 (1975)
- К.Д. Демаков, В.С. Иванов, В.Г. Столярова, В.М. Тарасов. ФТП, \bf 12, 1085 (1978)
- В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.Н. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушин. ФТП, \bf 15, 2430 (1981)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, \bf 20, 2153 (1986)
- Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, \bf 25, 1840 (1983)
- Ю.А. Водаков, А.И. Гирка, А.О. Константинов, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, С.В. Свирида, В.В. Семенов, В.В. Соколов, А.В. Шишкин. ФТП, \bf 26, 1857 (1992)
- Ю.А. Водаков, А.А. Вольфсон, Г.В. Зарицкий, Е.Н. Мохов, А.Г. Остроумов, А.Д. Роенков, В.И. Соколов, В.А. Сыралев, В.Е. Удальцов. ФТП, \bf 26, 107 (1992)
- W.J. Choyke. In: NATO ASI, Ser. Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides (ed. by R.Freer). Manchester (1989)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 298 (1988)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севастьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. Письма ЖТФ, \bf 10, 1053 (1984)
- D.V. Lang. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, \bf 19, 114 (1985)
- М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
- А.М. Стрельчук. Автореф. канд. дис. СПб., ФТИ им. А.Ф.Иоффе (1992)
- В.М. Гусев, К.Д. Демаков, С.А. Белов, М.Г. Косагонова, И.А. Макаров, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.М. Гран. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, 326. Л. (1979)
- А. Берг, П. Дин. Светодиоды. М.: Мир (1973)
- Физика и химия соединений A^IIIB^V (под ред. М. Авена и Д.С. Принера). М.: Мир (1970)
- М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, \bf 11, 1018 (1985)
- A.Y. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Uzmanova. Phys. St. Sol. (a), \bf 35, 37 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
