Изучалась фотолюминесценция одиночных гетероструктур GaAs/GaAlAs в зависимости от условий формирования гетерограницы (температуры эпитаксии, концентрации доноров в GaAs, движущей силы кристаллизации). В спектрах фотолюминесценции наряду с полосами объемной люминесценции GaAS и GaAlAs присутствует полоса, обусловленная наличием гетерограницы (полоса интерфейсной люминесценции). Показано, что существование интерфейсной люминесценции пороговым образом зависит от температуры формирования гетерограницы: интерфейсная люминесценция появляется, если температура выше некоторой T^F _cr, и исчезает, если ниже. При этом пороговая температура T^F _cr уменьшается с уменьшением движущей силы кристаллизации при формировании гетерограницы и зависит от совершенства узкозонной области (GaAs) гетероструктуры. Пороговый характер возникновения и исчезновения интерфейсной люминесценции объясняется с помощью двух модельных представлений. Во-первых, предполагается, что интерфейснаая люминесценция обусловлена аннигиляцией интерфейсного экситона, образованного двумерным электроном на гетерогранице и трехмерной дыркой, и, во-вторых, предполагается, что смена механизмов формирования гетерограницы при фазовом переходе огрубления поверхности подложки приводит к скачкообразному уменьшению неоднородностей в плоскости гетерограницы, что способствует образованию интерфейсного экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.