Проведены исследования вольт-амперных характеристик, спектральной фотоэдс и влияния на них водорода в диодных структурах Pd-p-GaP, где p-GaP получен методом Чохральского, легирован Mn и имел p₀=3· 10¹² см^-3. Установлено, что механизм токопрохождения определяется двойной инжекцией носителей тока в слой p-GaP, ограниченной пространственным зарядом на центрах захвата, созданных Mn. Вольт-амперная характеристика включает омический участок, переходящий в квадратичный. Спектральная кривая фотоэдс не имеет участка собственного (межзонного, lambda<0.55 мкм) возбуждения и содержит только фаулеровский длинноволновой хвост, из которого определена высота барьера Шоттки varphi_B=1.2 эВ. Под импульсным воздействием водорода темновые токи уменьшаются в 2-2.5 раза, а фотоэдс убывает в 2.5 раза, и эти изменения связаны с изменением коэффициента инжекции контакта Pd-p-GaP в связи с увеличением высоты барьера в атмосфере водорода на 20 мэВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.