Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 7 » Статья стр. 1172
<<<>>>
Зарядовые свойства МОП структуры Al--SiO 2-- n-6 H-SiC \(0001)Si\
Иванов П.А.1, Константинов А.О.1, Пантелеев В.Н.1, Самсонова Т.П.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
PDF версия
Исследованы зарядовые свойства МОП структуры на основе n-6H-SiC при комнатной температуре. Подзатворный диэлектрик толщиной 30 нм выращен термическим окислением эпитаксиального 6H-SiC с ориентацией (0001)Si (концентрация нескомпенсированных доноров 2.8·1016 см-3) в потоке сухого кислорода с добавлением паров трихлорэтилена. Напряжение пробоя окисла, измеренное в режиме аккумуляции электронов, достигает 25 В, а напряженность поля пробоя 8· 106 В/см. В режиме глубокого неравновесного обеднения МОП структуры выдерживают напряжения до 300/350 В, что свидетельствует об экстремально низкой скорости образования слоя с инверсной дырочной проводимостью на границе раздела SiO2/SiC. Проанализирована малосигнальная комплексная проводимость МОП структуры на частотах 1 кГц и 1 МГц. Обнаружено экспоненциальное энергетическое распределение плотности поверхностных состояний в пределах запрещенной зоны 6H-SiC вблизи зоны проводимости. Интегральная плотность состояний Nt~= 2·1011 см-2, поверхностная плотность заряда, фиксированного в окисле, Nf~= 1011 см-2. Поверхностные ловушки с уровнями вблизи зоны проводимости классифицированы как акцептороподобные (сечение захвата электронов ~ 10-18 см2).
  1. J.B. Petit, J.A. Powell, L.B. Matus. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B. King., E.V. Thome (Albuquerque NM, 1991) p. 198
  2. A. Suzuki, H. Ashida, M. Furui, K. Mameno, H. Matsunami. Japan. J. Appl. Phys., \bf 21, 579 (1982)
  3. R.S. Harris. Sol. St. Electron., 12, 103 (1976)
  4. П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 27, 1146 (1993)
  5. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO2 \it на кремнии (Л., 1988). 304 с
  6. A.O. Konstantinov. \it Abstracts of ICSCRM-93 (Washington DC, 1993) p. A8
  7. G.J. Declerck, T. Hotteri, G.A. May, J. Beaudouin, J.D. Meindl. J. Elecrochem. Soc., \bf 122, 436 (1975)
  8. D.L. Heald, R.M. Das, R.P. Khosla. J. Elecrochem. Soc., \bf 123, 302 (1976)
  9. M.C. Chen J.W. Hill. J. Elecrochem. Soc., 115, 223 (1972)
  10. В.Н. Овсюк. \it Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда, (Новосибирск, 1984)
  11. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. В кн.: \it Справочник по электротехническим материалам (М., 1988) т. 3, разд. 19, p. 446

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme