Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дефекты в аморфном кремнии, легированном бором
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Проведены исследования ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров образцов a-Si:H, легированных бором из газовой фазы и ионной имплантацией. Показано, что этот метод может успешно применяться для определения концентрации нейтральных оборванных связей (D0) и что закономерности трансформации спектров при изменении степени легирования объясняются перезарядкой дефектов типа D0-> D+ (D+ - положительно заряженная оборванная связь). Показано различие в спектрах при различных методах введения бора.
- M. Stutzmann, W.B. Jackson. Sol.St.Commun., 62, 153 (1987)
- K. Pierz, W Fuhs., H. Mell. Phil. Mag. B, 63, 123 (1991)
- О.А. Голикова, А.П. Соколов, А.П. Шебанин, М.М. Мездрогина. ФТП, \bf 26, 960 (1992)
- L. Ley. J. Non-Cryst. Sol. 114, 238 (1989)
- О.А. Голикова, Э.П. Домашевская, Х.Ю. Мавлянов, В.А. Терехов, С.Н. Тростянский. ФТП, \bf 27, 1468 (1993)
- О.А. Голикова, У.С. Бабаходжаев, В.В. Дубро, Р.Г. Икрамов, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина, Р.Р. Яфаев. ФТП, \bf 26, 66 (1992)
- S. Mizukawa, K. Sato, Y. Kazumichi, M. Isawa, K. Kuroiwa, Y. Tarui. Japan. J. Appl. Phys., \bf 28, 961 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
