Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 10 » Статья стр. 1742
<<<>>>
Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si
Зубрилов-=SUP=-1-=/SUP=- А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
PDF версия
Исследовались электрические свойства гетеропереходов n-3C-SiC/p-Si, полученных газофазной эпитаксией (CVD-методом) на подложках Si(111) в системе SiH4-C2HCl3-H2 при 1100oC. Полученные гетеропереходы характеризуются хорошими выпрямительными свойствами и высоким быстродействием. Прямая вольт-амперная характеристика может быть представлена в виде I propto exp(-qU/nkT)exp(qV/nkT), где U=(0.87± 0.02) эВ - контактная разность потенциалов, n=1.1-1.2 - коэффициент идеальности. Установлено, что доминирующий механизм прямого тока связан с процессом рекомбинации носителей заряда через уровни ловушек с плотностью состояний ~ 1012 см-2, расположенные на гетерогранице и смещенные относительно середины запрещенной зоны.
  1. H. Matsunami. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 3 (1992)
  2. S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., \bf 42, 460 (1983)
  3. S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 61, 4889 (1987)
  4. K. Takahashi, S. Nishino, J. Saraie, K. Harada. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 78 (1992)
  5. A. Solangi, M.I. Chandhry. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 362 (1992)
  6. T. Sugii, T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, M. Maeda. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf 9, 87 (1988)
  7. I.M. Baranov, V.A. Dmitriev, I.P. Nikitina, T.S. Kondrateva. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 116 (1992)
  8. И.М. Баранов, В.А. Дмитриев, И.П. Никитина, В.Е. Челноков. \it Тезисы VII Межд. конф. по микроэлектронике (Минск, 1990) т. 1, с. 83
  9. R.T. Holm, P.H. Klein, P.E.R. Nordquist, Jr. J. Appl. Phys., \bf 60, 1479 (1986)
  10. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk. Springer Proc. in Physics, \bf 56, 269 (1992)
  11. B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  12. J. Peltier, D. Gervais, C. Promot. J. Appl. Phys., \bf 55, 994 (1984)
  13. R.J. Delven. Phys. Chem. Sol., 13, 163 (1960)
  14. T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., \bf 67, 6375 (1990)
  15. G.A. Slack, R.I. Scace. J. Chem. Phys., 42, 805 (1965)
  16. M.I. Chaudhry. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 670 (1991)
  17. C.Т. Cah, R.N. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, \bf 45, 1228 (1957)
  18. U. Dolega, Zs. Naturforsch., 18a, 653 (1963)
  19. A.G. Milnes, D.L. Feucht. \it Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions (N.Y., Academic Press, 1972)
  20. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-14, 63 (1967)
  21. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 2, 2255 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme