О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации
Бакин А.С.1, Дорожкин С.И.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Рассмотрено влияние степени отклонения от равновесия в системе фаза-подложка на процессы кристаллизации SiC при выращивании методом сублимации.
- Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. \it X-ray and Neutron Structure Analysis in Materials Science (N.Y.--London, Plenum Press, 1987) p. 331
- Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. \it Progr. in Crystal Growth and Characterization. Crystal Growth and Characterization of Polytype Structures (Pergamon Press, 1983) \bf v. 7, p. 111
- Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. Crystals. Growth, Properties and Applications (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y.--Tokyo, 1984) p. 3
- D.L. Barrett, J.P.Mc. Hugh, H.M. Hobgood, R.H. Hopkins, P.G. McMullin, R.C. Clarke. W.J. Choyke. J. Cryst. Growth, \bf 128, 358 (1993)
- A.S. Bakin, D.B. Chesnokova, D.A. Jaskov. J. Cryst. Growth, \bf 94, 651 (1989)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, \bf 24, 1377 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.