Тонкие (1.3-4.7 мкм) пленки a-Si_1-xC_x:H получали высокочастотным ионно-плазменным распылением сплавной SiC-мишени в атмосфере аргон-водород при различных значениях мощности разряда. С целью выявления характера воздействия условий получения на свойства пленок проведены исследования спектров плотности состояний в диапазоне энергий 0.3-3.0 эВ тремя различными методами. В диапазоне 1.8-3.0 эВ исследования проводились оптическими методами, в диапазоне 1.0-2.3 эВ - методом постоянного фотоответа, а в окрестности уровня Ферми (0.3-0.5 эВ) - методом токов, ограниченных пространственным зарядом. Исследования спектров плотности состояний выполнены при комнатной температуре. Анализ полученных результатов показал, что спектры плотности состояний исследованных пленок в значительной степени зависят от условий приготовления. Выявлены параметры спектров, подверженные существенному влиянию условий осаждения материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.