Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si_1-xC_x:H, полученных высокочастотным распылением

Свиркова Н.Н.¹, Феликов В.А.¹, Лигачев В.А.¹

¹Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 10 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Тонкие (1.3-4.7 мкм) пленки a-Si_1-xC_x:H получали высокочастотным ионно-плазменным распылением сплавной SiC-мишени в атмосфере аргон-водород при различных значениях мощности разряда. С целью выявления характера воздействия условий получения на свойства пленок проведены исследования спектров плотности состояний в диапазоне энергий 0.3-3.0 эВ тремя различными методами. В диапазоне 1.8-3.0 эВ исследования проводились оптическими методами, в диапазоне 1.0-2.3 эВ - методом постоянного фотоответа, а в окрестности уровня Ферми (0.3-0.5 эВ) - методом токов, ограниченных пространственным зарядом. Исследования спектров плотности состояний выполнены при комнатной температуре. Анализ полученных результатов показал, что спектры плотности состояний исследованных пленок в значительной степени зависят от условий приготовления. Выявлены параметры спектров, подверженные существенному влиянию условий осаждения материала.

Й. Тавада. В кн.: \it Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. Й. Хамакава (М., 1986)
А. Меден, М. Шо. \it Физика и применение аморфных полупроводников (М., 1991)
А.В. Раков. \it Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., 1975)
Л. Лей. В кн.: \it Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., 1988) вып. 2
Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике (М., 1977)
А. Кларк. В кн.: \it Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применения, под ред. Л. Казмерски (М., 1983)
Дж. Коннелл. В кн.: \it Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., 1982)
M. Vanecek, A. Abraham, O. Stika, J. Stuchlik, J. Kocka. Phys. St. Sol. (a), \bf84, 617 (1984)
В.А. Лигачев, В.А. Филиков. ФТП, 25, 133 (1991)
В.А. Лигачев. ФТТ, 35, 2342 (1993)
W. Den Boer. J. de Physique. Coll., 4, \bf42, 451 (1981)
О.А. Голикова, Э.П. Домашевская, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, К.Л. Сорокина, В.А. Терехов, С.Н. Тростянский. ФТП, \bf23, 450 (1989)
А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. \it Методы решения некорректных задач (М., 1986)
В.А. Лигачев, В.Н. Гордеев, В.А. Филиков, Х. Сулеман. ФТП, \bf25, 1536 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель