Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние особенностей Cd_xHg_1-xTe на характеристики длинноканальных МДП транзисторов

Градобоев А.А.¹, Курмашев Ш.Д.¹

¹Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина

Поступила в редакцию: 11 апреля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Получено уточненное выражение для стокового тока длинноканальных МДП полевых транзисторов на основе Cd_xHg_1-xTe, учитывающее характерные особенности этого материала (непараболичность зоны проводимости, вырождение носителей заряда в канале, компенсацию и неполную ионизацию примесей и дефектов). Оценена ошибка традиционного подхода к описанию выходных характеристик МДП полевых транзисторов на основе узкозонных полупроводников по отношению к расчету, учитывающему их особенности.

\it Свойства структур металл-диэлектри-полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (Москва, 1976)
E.H. Nicollian, J.R. Brews. \it MOS (Metal--oxide--semiconductor) Physics and Technology (N.Y., 1982)
I.S. Nachev. Semicond. Sci. Technol., 3, 29 (1988)
I. Bloom, Y. Nemirovsky. Sol. St. Electron., 31, 17 (1988)
H.C. Pao, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 9, 927 (1966)
R.F. Pierret, J.A. Shields. Sol. St. Electron., 26, 143, (1983)
B. Majkusiak, A. Jak. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 2560 (1987)
В.П. Пономаренко, И.В. Шиманский, В.И. Стафеев. ФТП, 22, 62 (1988)
В.П. Пономоренко, Е.А. Салмин, В.И. Стафеев, И.В. Шиманский. ФТП, 23, 189 (1989)
J. Zollner. Phys. St. Sol. (b), 148, 511 (1988)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., 1985)
А.А. Градобоев, Ш.Д. Курмашев, В.П. Пономоренко, И.И. Синина, В.И. Стафеев, И.В. Шиманский. \it Тез. докл. сем. по горячим электронам в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью (М., 1990) с. 45
Ш.Д. Курмашев, И.И. Синина, А.А. Градобоев, В.И. Стафеев, В.П. Пономоренко. \it Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990). с. 319

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель