Вышедшие номера
Рекомбинация неравновесных носителей в треках тяжелых ионов в Si1
Еремин В.К.1, Ильяшенко И.Н.1, Строкан Н.Б.1, Шмидт Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Взаимодействие ядерных излучений с полупроводниками, как правило, исследуется рездельно в двух аспектах. Во-первых, рассматривается проявление возникающих дефектов структуры в деградации электрофизических свойств. Во-вторых, изучается поведение заряда неравновесных носителей, что практически важно для полупроводниковых детекторов. В работе на примере Si показано, что при облучении осколками деления 252Cf (''тяжелыми ионами'') возникающие первичные дефекты структуры и неравновесные электроны и дырки необходимо рассматривать как единую систему. Взаимодействие дефектов и носителей заряда определяет как рекомбинацию носителей, так и самих первичных пар Френкеля. Для доли прорекомбинировавших носителей это приводит к новой (логарифмической) зависимости от напряженности электрического поля в детекторе вместо гиперболического закона для случая alpha-частиц (''легких ионов'').