Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рекомбинация неравновесных носителей в треках тяжелых ионов в Si1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
Взаимодействие ядерных излучений с полупроводниками, как правило, исследуется рездельно в двух аспектах. Во-первых, рассматривается проявление возникающих дефектов структуры в деградации электрофизических свойств. Во-вторых, изучается поведение заряда неравновесных носителей, что практически важно для полупроводниковых детекторов. В работе на примере Si показано, что при облучении осколками деления 252Cf (''тяжелыми ионами'') возникающие первичные дефекты структуры и неравновесные электроны и дырки необходимо рассматривать как единую систему. Взаимодействие дефектов и носителей заряда определяет как рекомбинацию носителей, так и самих первичных пар Френкеля. Для доли прорекомбинировавших носителей это приводит к новой (логарифмической) зависимости от напряженности электрического поля в детекторе вместо гиперболического закона для случая alpha-частиц (''легких ионов'').
- \commes \badraggedbottom
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, У.Ш. Туребеков. ПТЭ, вып. 6, 64 (1990)
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, И. Борани, Б. Шмидт. ПТЭ, вып. 3, 56 (1991)
- E. Verbitskaya, V. Eremin, N. Strokan, J. Kemmer, B. Schmidt, J. von Borani. Nucl. Instrum. Meth. B, 84, 51 (1994)
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, И. Борани, Б. Шмидт. ФТП, 27, 2052 (1993)
- В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ 13-11889 (Дубна, 1978)
- В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ P13-11933 (Дубна, 1978)
- E.C. Finch, M. Asghar, M. Forte, Nucl. Instr. Meth., 163, 467 (1979)
- W. Seibt, K.E. Sundstrom, P.A. Tove. Nucl. Instrum. Meth., 113, 317 (1973)
- W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. In: \it Nonradiative revombination in Semiconductors (Amsterdam, 1991) p. 320
- E. Vablonovich, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett. 49, 587 (1986)
- Л.А. Делимова. ФТП, 15, 1349 (1992)
- \it Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F.Ziegler. (Acad. Press. Inc., 1984). p. 635
- В.К. Еремин, С.Г. Даненгирш, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 556 (1974)
- В.В. Емцев, Т.В.Машовец, В.В. Михневич. ФТП, 26, 22 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
