Вышедшие номера
Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца
Зыков В.А.1, Гаврикова Т.А.1, Немов С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Экспериментально установлен амфотерный характер легирующего действия примеси Bi в эпитаксиальных пленках PbSe, связанный с различным положением примесных атомов в кристаллической решетке соединения. Наблюдалось перераспределение атомов Bi между подрешетками PbSe в зависимости от содержания компонентов (Pb и Se) в составе пара. Полученные экспериментальные зависимости свидетельствуют о том, что висмут в узлах Pb является однократно ионизованным донором и трехратно ионизованным акцептором в узлах Se. Показано, что легирование амфотерной примесью Bi является эффективным методом изучения картины дефектообразования в PbSe. Увеличение количества Se в паре приводит к образованию вакансий в катионной подрешетке. Избыток Pb первоначально размещается в междоузлиях. Образование вакансий в подрешетке Se наблюдалось лишь при избытках Pb порядка (1-2)· 1019 см-3.