Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs_{1- x-y}Sb_x Bi_y/InSb: расчет некоторых физических параметров

Акчурин Р.Х.¹, Акимов О.В.¹

¹Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Обсуждена возможность использования тонкослойных упругонапряженных гетероструктур InAs_1-x-ySb_xBi_y/InSb в качестве материала фотоприемных устройств дальнего инфракрасного диапазона. Выполнена расчетная оценка критических толщин эпитаксиальных слоев и изменения ширины запрещенной зоны твердых растворов в зависимости от их состава и величины упругих напряжений. Согласно расчетам область составов InAs_1-x-ySb_xBi_y, перекрывающих при 77 K диапазон 8/14 мкм, лежит в интервале x=0.78/ 0.92 и значений y, определяемых пределом растворимости Bi. Обсуждается возможность проявления в гетероструктурах побочных физических эффектов.

A. Rogalski. Prog. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова, А.В. Тарасов, В.Б. Уфимцев. Неорг. матер., 28, 502 (1992)
Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова. Письма в ЖТФ, 18, 16 (1992)
G.C. Osbourn. J. Appl. Phys., 53, 158a6 (1982)
G.C. Osbourn. J. Vac. Sci. Technol. B1, 2, 379 (1983)
G.C. Osbourn. J. Vac. Sci. Technol. B2, 2, 176 (1984)
C.P. Kuo, S.K. Vong, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 57, 5428 (1985)
Z.M. Fang, K.Y. Ma, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 68, 1187 (1990)
Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова, В.А. Жегалин. Изв. Вузов. Цв. металлы (в печати)
Р.Х. Акчурин, В.Г. Зиновьев, Г.М. Кузьмичева, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 27, 561 (1982)
K.Y. Ma, Z.M. Fang, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 68, 4586 (1990)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1986)
J.W. Matthews, A.E. Blackslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
B.R. Bennet, J.A. del Alamo. J. Appl. Phys., 73, 3195 (1993)
С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. \it Соединения A^IIIB^V: Справочник (М., Металлургия, 1984)
Landolt-Bornstein. \it New Series (Springer-Verlag, Berlin, 1987)
J.W. Matthews, A.E. Blackslee. J. Vac. Sci. Technol., 14, 989 (1977)
H. Asai, K. Oe. J. Appl. Phys., 54, 2052 (1983)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. \it Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель