Вышедшие номера
Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs 1- x-ySb x Bi y/InSb: расчет некоторых физических параметров
Акчурин Р.Х.1, Акимов О.В.1
1Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Обсуждена возможность использования тонкослойных упругонапряженных гетероструктур InAs1-x-ySbxBiy/InSb в качестве материала фотоприемных устройств дальнего инфракрасного диапазона. Выполнена расчетная оценка критических толщин эпитаксиальных слоев и изменения ширины запрещенной зоны твердых растворов в зависимости от их состава и величины упругих напряжений. Согласно расчетам область составов InAs1-x-ySbxBiy, перекрывающих при 77 K диапазон 8/14 мкм, лежит в интервале x=0.78/ 0.92 и значений y, определяемых пределом растворимости Bi. Обсуждается возможность проявления в гетероструктурах побочных физических эффектов.