Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs 1- x-ySb x Bi y/InSb: расчет некоторых физических параметров
Акчурин Р.Х.1, Акимов О.В.1
1Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Обсуждена возможность использования тонкослойных упругонапряженных гетероструктур InAs1-x-ySbxBiy/InSb в качестве материала фотоприемных устройств дальнего инфракрасного диапазона. Выполнена расчетная оценка критических толщин эпитаксиальных слоев и изменения ширины запрещенной зоны твердых растворов в зависимости от их состава и величины упругих напряжений. Согласно расчетам область составов InAs1-x-ySbxBiy, перекрывающих при 77 K диапазон 8/14 мкм, лежит в интервале x=0.78/ 0.92 и значений y, определяемых пределом растворимости Bi. Обсуждается возможность проявления в гетероструктурах побочных физических эффектов.
- A. Rogalski. Prog. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
- Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова, А.В. Тарасов, В.Б. Уфимцев. Неорг. матер., 28, 502 (1992)
- Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова. Письма в ЖТФ, 18, 16 (1992)
- G.C. Osbourn. J. Appl. Phys., 53, 158a6 (1982)
- G.C. Osbourn. J. Vac. Sci. Technol. B1, 2, 379 (1983)
- G.C. Osbourn. J. Vac. Sci. Technol. B2, 2, 176 (1984)
- C.P. Kuo, S.K. Vong, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 57, 5428 (1985)
- Z.M. Fang, K.Y. Ma, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 68, 1187 (1990)
- Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова, В.А. Жегалин. Изв. Вузов. Цв. металлы (в печати)
- Р.Х. Акчурин, В.Г. Зиновьев, Г.М. Кузьмичева, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 27, 561 (1982)
- K.Y. Ma, Z.M. Fang, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 68, 4586 (1990)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1986)
- J.W. Matthews, A.E. Blackslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- B.R. Bennet, J.A. del Alamo. J. Appl. Phys., 73, 3195 (1993)
- С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. \it Соединения A^IIIB^V: Справочник (М., Металлургия, 1984)
- Landolt-Bornstein. \it New Series (Springer-Verlag, Berlin, 1987)
- J.W. Matthews, A.E. Blackslee. J. Vac. Sci. Technol., 14, 989 (1977)
- H. Asai, K. Oe. J. Appl. Phys., 54, 2052 (1983)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. \it Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук