Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Обычно на кристаллах CdTe наблюдается изменение свойств по длине слитка. При направленной кристаллизации CdTe из расплава установлено увеличение содержания донора от начала к концу слитка. Доказано, что этим донором является Cdi - мелкий донор, повышающий концентрацию свободных носителей в зоне проводимости. Это происходит вследствие выравнивания состава расплава по длине лодочки естественной конвекцией, вызванной градиентом температуры вдоль расплава. Показано, что уменьшение градиента температуры позволяет снизить разницу в концентрации свободных носителей заряда на концах слитка. Регулирование состава расплава путем изменения давления пара кадмия в процессе кристаллизации (при неизменном градиенте температуры) также позволяет получить выравнивание свободных носителей заряда вдоль слитка.
- D.J. Lawson. J. Appl. Phys., 22, 1444 (1951); D.J. Lawson. J. Appl. Phys., 23, 493 (1952)
- I.T. Tdmund, R.F. Broom, F.A. Cunnel. Services Electron. Res. Lab. Techn. J., 6, 123 (1957)
- J. Boomgard. Phil. Res. Rep., 12, 127 (1957)
- E.P. Stambaugh, I.F. Miller, R.C. Himes. \it Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors (N.Y., Intersci Publ., 1961) v. 6, p. 317
- L.R. Weisberg, F.D. Rost, P.G. Herkart. \it Properties of Elemental and Cоmpound Semiconductors (N.Y., Intersci Publ., 1960) v. 5, p. 25
- D.M. Heinz, E. Banks. J. Chem. Phys., 24, 381 (1956)
- О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 5, 1175 (1969)
- V.P. Karpenko, P.G. Kasherininov, J.A. Matveev et al. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. III--1
- N.R. Kyle. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. IV--1
- R. Triboulet. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. V--1
- P. Rudolph, M. Muhlberg. J.Mater. Sci. Engineer. B, 16, 8 (1993)
- Ф. Крегер. \it Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) с. 654
- K. Zanio. \it Cadmium Telluride, Semiconductors and semimetals (N.Y., Acad. Press. 1978) v. 13, p. 230
- О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1694 (1993)
- Р. Лодиз, Р. Паркер. \it Рост монокристаллов (М., Мир, 1974)
- В.М. Глазов, С.Н. Чичевская, Н.Н. Глаголева. \it Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967) с. 242
- Й. Джалурия. Естественная конвекция (М., Мир, 1983)
- Г.З. Гершуни, Е.М. Жуховицкий, А.А. Непомнящий. \it Устойчивость конвективных течений (М., Наука, 1989) с. 318
- А.Г. Кидяшкин. \it Гидромеханика и процессы переноса в невесомости (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1983) с. 126
- \it Полупроводники, под ред. Н.Б. Хеннея (М., Иностр. лит., 1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
