Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава

Матвеев О.А.¹, Терентьев А.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Обычно на кристаллах CdTe наблюдается изменение свойств по длине слитка. При направленной кристаллизации CdTe из расплава установлено увеличение содержания донора от начала к концу слитка. Доказано, что этим донором является Cd_i - мелкий донор, повышающий концентрацию свободных носителей в зоне проводимости. Это происходит вследствие выравнивания состава расплава по длине лодочки естественной конвекцией, вызванной градиентом температуры вдоль расплава. Показано, что уменьшение градиента температуры позволяет снизить разницу в концентрации свободных носителей заряда на концах слитка. Регулирование состава расплава путем изменения давления пара кадмия в процессе кристаллизации (при неизменном градиенте температуры) также позволяет получить выравнивание свободных носителей заряда вдоль слитка.

D.J. Lawson. J. Appl. Phys., 22, 1444 (1951); D.J. Lawson. J. Appl. Phys., 23, 493 (1952)
I.T. Tdmund, R.F. Broom, F.A. Cunnel. Services Electron. Res. Lab. Techn. J., 6, 123 (1957)
J. Boomgard. Phil. Res. Rep., 12, 127 (1957)
E.P. Stambaugh, I.F. Miller, R.C. Himes. \it Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors (N.Y., Intersci Publ., 1961) v. 6, p. 317
L.R. Weisberg, F.D. Rost, P.G. Herkart. \it Properties of Elemental and Cоmpound Semiconductors (N.Y., Intersci Publ., 1960) v. 5, p. 25
D.M. Heinz, E. Banks. J. Chem. Phys., 24, 381 (1956)
О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 5, 1175 (1969)
V.P. Karpenko, P.G. Kasherininov, J.A. Matveev et al. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. III--1
N.R. Kyle. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. IV--1
R. Triboulet. \it Proc. Int. Symp. on CdTe as material for Gamma-ray detectors (Strasbourg, France, 1971) p. V--1
P. Rudolph, M. Muhlberg. J.Mater. Sci. Engineer. B, 16, 8 (1993)
Ф. Крегер. \it Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) с. 654
K. Zanio. \it Cadmium Telluride, Semiconductors and semimetals (N.Y., Acad. Press. 1978) v. 13, p. 230
О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1694 (1993)
Р. Лодиз, Р. Паркер. \it Рост монокристаллов (М., Мир, 1974)
В.М. Глазов, С.Н. Чичевская, Н.Н. Глаголева. \it Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967) с. 242
Й. Джалурия. Естественная конвекция (М., Мир, 1983)
Г.З. Гершуни, Е.М. Жуховицкий, А.А. Непомнящий. \it Устойчивость конвективных течений (М., Наука, 1989) с. 318
А.Г. Кидяшкин. \it Гидромеханика и процессы переноса в невесомости (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1983) с. 126
\it Полупроводники, под ред. Н.Б. Хеннея (М., Иностр. лит., 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель