Токовая и временная зависимости остаточного напряжения во включенном состоянии фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов
Корольков В.И.1, Орлов Н.Ю.1, Рожков А.В.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Степанова М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Изучены характеристики высоковольтных фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs во включенном состоянии. Показано, что остаточное напряжение на фотонно-инжекционном импульсном коммутаторе непосредственно после субнаносекундного включения локализовано на po-слое и части i-слоя, не занятой областью пространственного заряда. Проводимость этих областей не успевает модулироваться неосновными носителями на этапе задержки включения. Установлено, что значение остаточного напряжения непосредственно после включения коммутатора находится в диапазоне (20-60) В в зависимости от электрофизических параметров нелегированных слоев прибора. Оно уменьшается до величин в единицы вольт за счет сравнительно медленного (в сотни наносекунд) диффузионно-дрейфового переноса неосновных носителей заряда, инжектированных n+-подложкой.
- К.И. Алферов, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12, 1281 (1986)
- В.И. Корольков, Н.Ю. Орлов, А.В. Рожков, А.М. Султанов, М.А. Голов. ПТЭ, N 3, 121 (1993)
- С.Н. Вайнштейн, И.И. Диакону, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 9, 546 (1983)
- D.J. Hamilton, J.F. Gibbons, W. Shockley. Proc. IRE, 47, 1102 (1959)
- С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. ФТП, 22, 1134 (1988)
- В.И. Корольков, А.С. Прохоренко, А.В. Рожков, А.М. Султанов. ЖТФ, 18, 26 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
