Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Токовая и временная зависимости остаточного напряжения во включенном состоянии фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов

Корольков В.И.¹, Орлов Н.Ю.¹, Рожков А.В.¹, Солдатенков Ф.Ю.¹, Степанова М.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены характеристики высоковольтных фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs во включенном состоянии. Показано, что остаточное напряжение на фотонно-инжекционном импульсном коммутаторе непосредственно после субнаносекундного включения локализовано на p^o-слое и части i-слоя, не занятой областью пространственного заряда. Проводимость этих областей не успевает модулироваться неосновными носителями на этапе задержки включения. Установлено, что значение остаточного напряжения непосредственно после включения коммутатора находится в диапазоне (20-60) В в зависимости от электрофизических параметров нелегированных слоев прибора. Оно уменьшается до величин в единицы вольт за счет сравнительно медленного (в сотни наносекунд) диффузионно-дрейфового переноса неосновных носителей заряда, инжектированных n⁺-подложкой.

К.И. Алферов, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12, 1281 (1986)
В.И. Корольков, Н.Ю. Орлов, А.В. Рожков, А.М. Султанов, М.А. Голов. ПТЭ, N 3, 121 (1993)
С.Н. Вайнштейн, И.И. Диакону, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 9, 546 (1983)
D.J. Hamilton, J.F. Gibbons, W. Shockley. Proc. IRE, 47, 1102 (1959)
С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. ФТП, 22, 1134 (1988)
В.И. Корольков, А.С. Прохоренко, А.В. Рожков, А.М. Султанов. ЖТФ, 18, 26 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель