Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу об образовании дефектов структуры при торможении быстрых ионов в кремнии

Иванов А.М.¹, Ильяшенко И.Н.¹, Строкан Н.Б.¹, Шмидт Б.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,

Поступила в редакцию: 23 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Высокочистый Si n-типа проводимости с удельным сопротивлением (2/ 6.5) кОм·см облучался alpha-частицами ²³⁸Pu и осколками деления ²⁵²Cf (средние энергии 5.48 и 80 МэВ соответственно). Использовались малые дозы, когда отсутствовало перекрытие треков ионов. Путем математического моделирования каскада столкновений с атомами решетки Si рассмотрены особенности генерации пар Френкеля в случае легких (alpha-частицы) и тяжелых (осколки деления) ионов. Методом DLTS изучались глубокие уровни, возникающие в запрещенной зоне Si. Показано, что системы глубоких уровней для случая легких и тяжелых ионов совпадают. Сопоставлен вклад уровней в генерационную составляющую тока p⁺-n-структур. Наблюдаемое различие в 10³ раз в приращениях тока (4.5· 10^-5 нА/ион для осколков и 5· 10^-8 нА/част. для alpha-частиц) объяснено условиями рекомбинации в треках ионов первичных пар Френкеля.

В.В. Емцев, Т.Б. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
L. Bischoff, J. von Borany, H. Morgendteen, B. Schmidt, D. Schubert. Prepr. ZfK-579 (Dresden, 1986)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 25, 209 (1993)
Л.С. Берман, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 19, 24 (1993)
\it Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press., 1984)
Л.С. Берман, Н.А. Витовский, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 24, 1816 (1990)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Е.С. Игнатенко, Н.Б. Строкан, У.Ш. Туребеков, И. Борани, Б. Шмидт. ФТП, 25, 852 (1991)
А.В. Васильев, И.А. Копшик, С.А. Смагулова, М.А. Цвайгерт, С.С. Шаймеев. ФТП, 17, 1155 (1983)
Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. \it Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель