Вышедшие номера
К вопросу об образовании дефектов структуры при торможении быстрых ионов в кремнии
Иванов А.М.1, Ильяшенко И.Н.1, Строкан Н.Б.1, Шмидт Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
Поступила в редакцию: 23 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Высокочистый Si n-типа проводимости с удельным сопротивлением (2/ 6.5) кОм·см облучался alpha-частицами 238Pu и осколками деления 252Cf (средние энергии 5.48 и 80 МэВ соответственно). Использовались малые дозы, когда отсутствовало перекрытие треков ионов. Путем математического моделирования каскада столкновений с атомами решетки Si рассмотрены особенности генерации пар Френкеля в случае легких (alpha-частицы) и тяжелых (осколки деления) ионов. Методом DLTS изучались глубокие уровни, возникающие в запрещенной зоне Si. Показано, что системы глубоких уровней для случая легких и тяжелых ионов совпадают. Сопоставлен вклад уровней в генерационную составляющую тока p+-n-структур. Наблюдаемое различие в 103 раз в приращениях тока (4.5· 10-5 нА/ион для осколков и 5· 10-8 нА/част. для alpha-частиц) объяснено условиями рекомбинации в треках ионов первичных пар Френкеля.