Поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре
Шеховцов Л.В.1, Саченко А.В.1, Шварц Ю.М.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Экспериментально исследована поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре Ge-GaAs при T=300 K. Вид спектральных характеристик фотоэдс указывает на наличие переходного слоя между пленкой Ge и подложкой GaAs. Немонотонная зависимость амплитуды фотоэдс от подсветки связана с наличием системы ''дрейфовых'' и ''рекомбинационных'' барьеров в объеме гетероструктуры. Предложена модель зонной структуры в виде ''пленка-переходной слой с переменной шириной запрещенной зоны-подложка''.
- E.J. Davey. Appl Phys. Lett., 8, 164 (1966)
- Н.П. Гарбар, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, Ю.А. Тхорик, Р. Харман, Ю.М. Шварц, З. Шроубек. ФТП, 21, 393 (1987)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников. (М., 1973)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. (М., 1972)
- Я. Тауц. \it Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. (М., 1962)
- Ж.И. Алферов, М.З. Жингарев, С.Г. Конников, И.И. Мокан, В.П. Улин, В.Е. Уманский, Б.С. Явич. 16, 831 (1982)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B., 27, 985 (1983)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
- В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.М. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1312 (1973)
- Ю.Я. Ткач. ЖЭТФ, 101, 203 (1992)
- Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. ЖЭТФ, 102, 1683 (1992)
- Ю.Я. Ткач. ФТП, 9, 1071 (1975)
- И.П. Жадько, А.Д. Кучерук, В.А. Романов, Б.К. Сердега, Л.В. Шеховцов. УФЖ, 27, 622 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук