Вышедшие номера
Влияние легирования фосфором на диффузию олова в пленках a-Si : H
Куликов Г.С.1, Ходжаев К.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Радиоактивным методом исследована диффузия олова в нелегированном и легированном фосфором аморфном гидрированном кремнии (a-Si : H) в интервале температур 350-500 oC. Установлено, что по мере увеличения степени легирования диффузия олова замедляется. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии олова в нелегированном материале и легированном фосфором в концентрации 8· 1019, 3· 1020 и 8· 1020 см-3. По данным электропереноса олово мигрирует в виде положительных ионов с эффективным зарядом ~ 0.5 e (e - заряд электрона).