Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние легирования фосфором на диффузию олова в пленках a-Si : H
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.
Радиоактивным методом исследована диффузия олова в нелегированном и легированном фосфором аморфном гидрированном кремнии (a-Si : H) в интервале температур 350-500 oC. Установлено, что по мере увеличения степени легирования диффузия олова замедляется. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии олова в нелегированном материале и легированном фосфором в концентрации 8· 1019, 3· 1020 и 8· 1020 см-3. По данным электропереноса олово мигрирует в виде положительных ионов с эффективным зарядом ~ 0.5 e (e - заряд электрона).
- A. Maden, T.J. Mc-Mahon. Solar Cells, 13, 265 (1985)
- J. Tokada, M. Yamaguchi, N. Fukada et al. Japan. J. Appl. Phys., 26, 889 (1987)
- М.С. Аблова, Г.С. Куликов, С.К. Першеев, К.Х. Ходжаев. ФТП, 24, 1943 (1990)
- К.Х, Ходжаев, К.П. Абдурахманов, Ю.Я. Амиров, В.А. Дидик, Г.С. Куликов, Е.И. Теруков, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, 19, 1182 (1985)
- К.Х, Ходжаев, К.П. Абдурахманов, Ю.Я. Амиров, Г.С. Куликов, Е.И. Теруков, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, 19, 2219 (1985)
- М.Kh. Kudoyarova, G.S. Kulikov, E.I. Terukov, K.Kh. Khodzhaev. J. Non-Cryst. Sol. 90, 211 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
