Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p⁺-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа

Баграев Н.Т.¹, Владимирская Е.В.¹, Гасумянц В.Э.¹, Кайданов В.И.¹, Кведер В.В.¹, Клячкин Л.Е.¹, Маляренко А.М.¹, Чайкина Е.И.¹, Шалынин А.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

PDF версия

Впервые получены p⁺-квантовые ямы на поверхности кремния n-типа, энергетические характеристики которых зависят от относительного вклада kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов в диффузию легирующей акцепторной примеси. Результаты исследований электрофизических, термоэлектрических и оптических свойств сильно легированных p⁺-квантовых ям демонстрируют наличие щели в плотности состояний вырожденного двумерного дырочного газа. Причем, несмотря на энергетическую щель в плотности состояний, двумерный дырочный газ может проявлять как диэлектрические, так и металлические свойства вследствие различной степени подавления андерсоновской локализации, обусловленной беспорядком в распределении легирующей примеси. Обнаружено, что распад зарядовых корреляций в электрическом поле, приложенном перпендикулярно или параллельно плоскости p⁺-n-перехода, индуцирует мощное инфракрасное излучение, спектральная зависимость которого определяется уровнем легирования и размерами p⁺-квантовой ямы.

W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: \it Diffusion in Crystalline Solids (Academic Press Inc., 1984) p. 63
R.B. Fair. Dif. and Defect Data, 37, 1 (1984)
U. Gosele, T.Y. Tan. Def. Dif. Forum, 59, 1 (1988)
N.A. Stolwijk, M. Perret, H. Mehrer. Def. Dif. Forum, 59, 79 (1988)
N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Def. Dif. Forum, 103--105, 192 (1993)
N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.L. Sukhanov. Semicond. Sci. Technol., 6, 577 (1991)
Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.Л. Суханов. ФТП, 25, 644 (1991)
N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Valyarenko, V.L. Sukhanov. Sol St. Electron., 34, 1149 (1991)
N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Sol. St. Electron., 36, 1741 (1993)
Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, В.Л. Суханов. ФТП. 25, 1613 (1991)
N.F. Mott. Phil. Mag., 6, 287 (1961)
E. Tosatti, P.W. Anderson. Sol. St. Commun., 14, 773 (1974)
B.I. Halperin, T.M. Rice. Sol. St. Phys., 21, 115 (1968)
А.Г. Аронов, Е.К. Кудинов. ЖЭТФ, 55, 1344 (1968)
Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, Е.И. Чайкина. Письма ЖЭТФ, 58, 620 (1993)
K. Nauka, J. Lagowski, H.C. Gatos, O. Ueda. J. Appl. Phys., 60, 615 (1986)
O. Ueda, K. Nauka, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 60, 622 (1986)
N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Sol. St. Phenomena, 32--33, 71 (1993)
M. Rosso, J.F. Gouyet, B. Sapoval. Phys. Rev. Lett., 57, 3195 (1986)
M. Kolb, J.F. Gouyet, B. Sapoval. Europhys. Lett., 3, 33 (1987)
Н. Мотт, Э. Дэвис. \it Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
B.I. Shklovskii, A.L. Efros. \it Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin etc., Springer, 1984)
Н. Мотт. \it Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979), с. 61
W.F. Brinkman, T.M. Rice. Phys. Rev. B, 2, 1324 (1970)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: \it Modern Problems in Condensed Matter Science, ed. by A.L. Efros, M. Pollak (Amsterdam, 1985)
В.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.Н. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 758 (1981)
J.Dabrowski, M.Scheffler. Phys. Rev. Lett., 60, 2183 (1988)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. Lett., 60, 2187 (1988)
V.V. Kveder. Def. Dif. Forum, 103--105, 431 (1993)
Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 92, 968 (1987)
Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 95, 1412 (1989)
P.W. Anderson. Phys. Rev., 109, 1492 (1958)
E. Abrahams, P.W. Anderson, D.C. Licciardello, T.V. Ramakrishnan. Phys. Rev. Lett., 42, 673 (1979)
H.R. Philipp, H. Ehrenreich. Phys. Rev., 129, 1550 (1963)
В.М. Теплинский, В.Ф. Гантмахер, О.И. Баркалов. ЖЭТФ, 101, 1698 (1992)
V.I. Kaidanov. Ded. Dif. Forum, 103--105, 387 (1993)
И.А. Черник, С.Н. Лыков. Письма в ЖТФ, 7, 94 (1981)
Э. Линтон. Сверхпроводимость (М., Мир, 1971)
N.T. Bagraev, E.I. Chaikina, L.E. Klyachkin. Sol. St. Phenomena, 32--33, 253 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель