Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров -0.5mmна основе GaInAsSb с тонкой активной областью
Зегря Г.Г.1, Гунько Н.А.1, Фролушкина Е.В.1, Именков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.
Теоретически изучена температурная зависимость пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе твердого раствора GaInAsSb с тонкой активной областью. Показано, что в ДГС структурах с тонкой активной областью вклад в пороговый ток дает также новый механизм оже-рекомбинации, который обусловлен взаимодействием носителей тока с гетерограницей. Также показано, что новый канал оже-рекомбинации является основным механизмом безызлучательной рекомбинации носителей при низких температурах. В работе проводится сравнение теоретических результатов зависимости пороговой плотности тока от температуры с экспериментальными данными.
- S.M. Sze. \it Physics of Semiconductor Devices, (Wiley Interscience, N.Y., 1981)
- H.C. Cassey, Jr., M.B. Panish. \it Heterostructure Lasers. Part A: \it Fundamental Principles (Academic Press, N.Y., 1978)
- Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, В.Л. Гельмонт, Б.Е. Джуртанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Шменков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25, 394 (1991)
- М. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, С.А. Карандашев, Н.Н. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26, 249 (1992)
- G.P. Agrawal, N.K. Dutta. \it Long-Wavelength Semiconductor Lasers, (Van Nostrand Reinhold Company, N.Y., 1986)
- Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
- Р.А. Сурис. ФТП, 20, 2008 (1986)
- А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21, 866 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
