Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров -0.5mmна основе GaInAsSb с тонкой активной областью

Зегря Г.Г.¹, Гунько Н.А.¹, Фролушкина Е.В.¹, Именков А.Н.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 марта 1995 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически изучена температурная зависимость пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе твердого раствора GaInAsSb с тонкой активной областью. Показано, что в ДГС структурах с тонкой активной областью вклад в пороговый ток дает также новый механизм оже-рекомбинации, который обусловлен взаимодействием носителей тока с гетерограницей. Также показано, что новый канал оже-рекомбинации является основным механизмом безызлучательной рекомбинации носителей при низких температурах. В работе проводится сравнение теоретических результатов зависимости пороговой плотности тока от температуры с экспериментальными данными.

S.M. Sze. \it Physics of Semiconductor Devices, (Wiley Interscience, N.Y., 1981)
H.C. Cassey, Jr., M.B. Panish. \it Heterostructure Lasers. Part A: \it Fundamental Principles (Academic Press, N.Y., 1978)
Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, В.Л. Гельмонт, Б.Е. Джуртанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Шменков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25, 394 (1991)
М. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, С.А. Карандашев, Н.Н. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26, 249 (1992)
G.P. Agrawal, N.K. Dutta. \it Long-Wavelength Semiconductor Lasers, (Van Nostrand Reinhold Company, N.Y., 1986)
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
Р.А. Сурис. ФТП, 20, 2008 (1986)
А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21, 866 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель