Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором

Курова И.А.¹, Мелешко Н.В.¹, Ларина Э.В.¹, Хлебникова О.П.¹, Громадин А.Л.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 25 ноября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на проводимость sigma_d и фотопроводимость sigma_ph пленок аморфного кремния a-Si : H, легированных фосфором. Показано, что не наблюдается повышения sigma_d и sigma_ph пленок после отжига их при температурах T_a<450^oC, как это наблюдалось в пленках, легированных бором, вследствие увеличения концентрации электрически активных атомов примеси B. Приводится возможное объяснение различного влияния отжига на пленки, легированные донорной и акцепторой примесью.

S.J. Pearton, J.W. Corbett, J.S. Shi. J. Appl. Phys. A, 43, 153 (1987)
M.L. Thewalt, E.C. Lightowter, Y.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 46, 686 (1985)
N.M. Jhonson, C. Herring, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 56, 769 (1986)
P.J.H. Dentenur, C.G. Van de Walle, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 39, 10809 (1989)
K.S. Chang, D.S. Chadi. Phys. Rev. A, 40, 11644 (1989)
И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987)
B.G. Yoon, C. Lee, J. Jang. J. Appl. Phys., 60, 673 (1986)
И.П. Звягин. \it Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984) с. 86
\it Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски (М., Мир, 1982) с. 60
W. Beyer, H. Wagner. J. de Physique, Coll. C4, 42, 783 (1981)
W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 41, 12323 (1990)
C.E. Nebel, R.A. Street, W.B. Jackson, N.M. Johnson. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 203 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель