Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Действие облучения на оптические и фотоэлектрические свойства структур на квантовых ямах GaAs/AlGaAs, фоточувствительных в инфракрасной области спектра

Ахметов В.Д.¹, Горохов Е.Б.¹, Мошегов Н.Т.¹, Торопов А.И.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы изменения темнового тока, фототока, спектров фотопроводимости, инфракрасного поглощения на межподзонных переходах в структурах на основе квантовых ям GaAs/AlGaAs, происходящие под действием облучения электронами с энергией 3.5 МэВ. Обнаружено, что по мере увеличения дозы облучения наблюдаются: 1) снижение темнового тока, 2) рост отношения фототока к темновому току, 3) уменьшение межподзонного поглощения, 4) неизменность формы спектра фоточувствительности с максимумом на длине волны 8.5 мкм. Представлено качественное объяснение наблюдаемых явлений, базирующееся на введении компенсирующих центров в ямах и барьерах при облучении. Предполагается использовать радиационные воздействия для локальной и общей корректировки параметров многоэлементных фотоприемников с квантовыми ямами.

Z.F. Paska, J.Y. Andersson, L. Lindqvist, C.-O.A. Ollson. J. Cryst. Growth, 107, 845 (1991)
C.G. Bethea, B.F. Levine, V.O. Shen, R.R. Abbot, S.J. Hseih. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1118 (1991)
L.J. Kozlowski, G.M. Williams, G.J. Sullian, G.W. Farley, R.J. Anderson, J. Chen, D.T. Cheung, W.E. Tennant, R.E. DeWames. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1124 (1991)
R.P.G. Karunasiri, J.S. Park, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 59, 2588 (1991)
B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
В.А. Горбылев, И.Д. Залевский, А.И. Петров, А.А. Чельный, Г.Х. Аветисян, В.Б. Куликов, В.В. Чукичев, А.Э. Юнович. ФТП, 27, 1453 (1993)
\it Вопросы радиационной технологии, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
G. Hasnain, B.F. Levine, C.G. Bethea, R.A. Logan, J. Walker, R.G. Malik. Appl. Phys. Lett., 54, 2515 (1989)
L.C. West, S.G. Eglash. Appl. Phys. Lett., 46, 1156 (1985)
B.F. Levine, A. Zussman, S.D. Gunapala, M.T. Asom, J.M. Kuo, W.S. Hobson. J. Appl. Phys., 72, 4429 (1992)
S.D. Gunapala, B.F. Levine, L. Pfeiffer, K. West. J. Appl. Phys., 69, 6517 (1991)
D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 51, 843 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель