Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные особенности фотоэлектрических характеристик Mn_xHg_{1- x}Te

Гасан-заде С.Г.¹, Каленик В.И.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены спектральные, температурные и полевые зависимости фотопроводимости и фотоэлектромагнитного эффекта в кристаллах Mn_xHg_1-xTe n- и p-типов. Обнаружены особенности фотоэлектрических характеристик в низкотемпературном (T<30/40 K) диапазоне: прилипание неосновных носителей тока и разогрев электронов излучением в материале n-типа; воздействие вымораживания основных носителей тока на время жизни фотопроводимости в материале p-типа. Определены параметры носителей тока и установлены основные механизмы рекомбинации.

О.А. Бондарук, О.П. Городничий, Н.В. Шевченко. В сб.: \it Материалы VII Всесоюзного симпозиума "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Львов, 1986) ч. 2, с. 37
О.Г. Ланская, В.И. Каленик, Е.П. Лиленко. В сб.: \it Материалы Всесоюзного семинара "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989) ч. 1, с. 32
A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
Ю.И. Равич.\it Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., 1963) с. 93
С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.И. Каленик, И.М. Раренко, В.А. Романов, Г.А. Шепельский. ФТП, 26, 1100 (1992)
С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Е.С. Фридрих, Г.А. Шепельский. ФТП, 25, 871 (1991)
Г.Г. Бабичев, В.В. Дякин, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.В. Коваль, В.А. Романов. УФЖ, 33, 1723 (1988)
I. Galas, I. Allegre, C. Fan. Phys. St. Sol. (b), 107, 275 (1981)
Н.Л. Баженов, Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, А.А. Малькова, В.К. Огородников, Т.Ц. Тотиева. ФТП, 16, 109 (1982)
С.Г. Гасан-заде, В.В. Богобоящий, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Г.А. Шепельский. ФТП, 27, 1508 (1993)
Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 9, 3547 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель