Исследована многослойная гетероструктура, состоящая из брэгговского отражателя на основе GaAs/AlAs и покровного слоя GaAs. Собственно брэгговский отражатель представлял собой 10 пар чередующихся слоев GaAs и AlAs с толщинами 45 и 60 нм, соответствующими расчетному спектральному положению максимума основной полосы отражения с центром при lambda₀=710 нм. Излучение с этой длиной волны сильно поглощается в GaAs и не поглощается в AlAs. Установлено экспериментально и показано теоретически, что наличие на таком поглощающем брэгговском отражателе покровного слоя GaAs с оптической толщиной, отличной от lambda₀/4, приводит к появлению глубокого провала в области основной полосы отражения. Спектральное положение провала зависит от толщины покровного слоя и, если оптическая толщина покровного слоя равна половине длины волны, то провал расположен в центре основной полосы отражения. В случае равенства оптической толщины покровного слоя четверти длины волны провал в основной полосе отражения отсутствует.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.