Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов
Мак В.Т.1
1Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 20 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Исследовано влияние облучения электронами с энергиями 0.6-50 МэВ на темновую проводимость монокристалов сульфида кадмия. Показано, что с ростом энергии облучающих электронов возрастает роль ионизационных процессов в дефектообразовании. При энергиях электронов более 7.5 МэВ эти процессы начинают играть доминирующую роль, вследствие чего резко уменьшается скорость введения первичных радиационных дефектов - вакансий и междоузлий кадмия.
- А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак. ФТП, 8, 2219 (1974)
- А.П. Галушка, В.Т. Мак, Ю.И. Заславский. \it Способ обработки монокристаллов сернистого кадмия. А.с. СССР, N 563757 (1977)
- А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 10, 128 (1977)
- Г.Е. Давидюк, Н.С.Богданюк, В.В. Божко, В.Т. Мак. \it Фотоэлектроника (Одесса, 1990) вып. 3, с. 7
- Г. Кинчин, Р. Пиз. УФН, 60, 590 (1956)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. \it Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. (М., Атомиздат, 1969)
- В.Т. Мак, В.Е. Буковский, В.И. Стеценко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 457 (1991)
- М.А. Эланго.\it Элементарные неупругие радиационные процессы. (М., Наука, 1988)
- В.Л. Винецкий, Г.Е. Чайка. ФТТ, 24, 2170 (1982)
- В.Т. Мак. ЖТФ, 63, 173 (1993)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кеклидзе, Л.С. Смирнов. \it Действие излучений на полупроводники. (М., Наука, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук