Влияние положения уровня Ферми на радиационную стойкость компенсированного кремния
Гарнык В.С.1
1Институт металлургии им.А.А.Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
В работе показано, что вводя активные центры донорного типа (например, термодоноры) в p-кремний, можно добиться такого положения уровня Ферми, при котором появляющиеся в результате облучения быстрыми электронами радиационные дефекты не будут оказывать влияния на концентрацию носителей заряда.
- И.Н. Белокурова, В.С. Гарнык. Неорг. матер., 29, 1691 (1993)
- Л.П. Павлов. \it Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
- Т.В. Машовец. ФТП, 16, 3 (1982)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)
- В.С. Вавилов, С.И. Винтовкин, А.С. Лютович, А.Ф. Плотников, А.А. Соколова. ФТТ, 7, 502 (1965)
- G.P. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
- J.D. Konozenko, A.K. Semenyuk, V.J. Khivrich. Phys. St. Sol., 35, 1043 (1969)
- J. Mandelkorn. Патент США, кл. 585--476, N 3. 390.020 (1968)
- Л.А. Гончаров, Т.Н. Достходжаев, В.В. Емцев, Т.В. Машовец, С.М. Рывкин. А.с. СССР, N 593345, МКИ С30В 29/08 (1976)
- З.В. Башелеишвили, В.С. Гарнык, С.Н. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, 1714 (1984)
- В.С. Гарнык, З.В. Башелеишвили. ФТП, 24, 1485 (1990)
- В.С. Гарнык. ФТП, 28, 228 (1994)
- В.С. Гарнык. Электрон. техн. сер. 10. Микроэлектронные устройства (М. ЦНИИ "Электроника"), вып. 3(81), 19 (1990)
- В.С. Гарнык. Измер. техника, вып. 1, 61 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук