Влияние поверхностной рекомбинации на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1
1Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 7 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
Изучено влияние поверхностной рекомбинации на токи и эдс, генерируемые в p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что в сильном СВЧ поле скорость поверхностной рекомбинации сильно возрастает и результатом является увеличение рекомбинационного и генерационного токов. Установлено, что учет поверхностной рекомбинации приводит в тонких образцах к зависимости токов через p-n-переход в сильном СВЧ поле от толщины образца.
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
- Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
- В.Л. Бонч-Бруевич, Г.С. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1977)
- А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук