Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние длительного освещения на свойства компенсированного a-Si:H

Казанский А.Г.¹, Яркин Д.Г.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 2 марта 1995 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована кинетика изменения под действием длительного освещения проводимости (sigma_E(t)), фотопроводимости и коэффициента поглощения в дефектной области компенсированного гидрированного аморфного кремния (a-Si:H). Полученные зависимости sigma_E(t) имеют немонотонный характер, что указывает на существование двух процессов, один из которых приводит к увеличению sigma_E на начальном этапе освещения, а другой - к последующему уменьшению sigma_E. Исследовано влияние концентрации фосфора и бора на каждый из двух процессов. Рассмотрены возможные микроскопические механизмы, приводящие к увеличению и уменьшению sigma_E. Полученные результаты объясняются образованием под действием длительного освещения оборванных связей, расположенных рядом с электрически активными атомами бора и атомами фосфора, чьи энергетические состояния расположены соответственно в верхней и нижней половине щели подвижности.

D.L. Staebler, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 51, 3262 (1980)
M. Stutzmann. Phys. Rev. B, 35, 9735 (1987)
X.-M. Deng, H. Fritzsche. Phys. Rev. B, 36, 9378 (1987)
J. Jang, S. Park, S. Kim, C. lee. Appl. Phys. Lett., 51, 1804 (1987)
H. Mell, W. Beyer. J. Non-Cryst. Sol., 59--60, 405 (1983)
A. Hamed, H. Fritzsche. J. Non-Cryst. Sol., 114, 717 (1989)
J. Kakalios. Phil. Mag. B, 54, 199 (1986)
J.K. Rath, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
J. Kakalios. J. Non-Cryst. Sol., 114, 714 (1989)
B.-S. Yoo, Y.-H. Song, C. Lee. Phys. Rev. B, 41, 10787 (1990)
J.A. Howard, R.A. Street. Phys. Rev. B, 44, 7935 (1991)
S. Aljishi, S. Jin, L. Ley. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 387 (1991)
J. Kocka. J. Non-Cryst. Sol., 90, 91 (1987)
K. Pierz, W. Fuhs, H. Mell. Phil. Mag. B, 63, 123 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель