Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние неравномерного по площади распределения примеси на определение ее концентрации
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
При неравномерном по площади легировании полупроводника концентрация мелкой примеси N, определенная из вольт-фарадных характеристик диодов, всегда меньше средней по площади концентрации примеси. Возможна значительная разница в величине N, полученной при измерении различными методами.
- Г. Хениш. \it Полупроводниковые выпрямители (М., Изд-во иностр. лит., 1951)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. \it Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
- А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 16, 1874 (1982)
- Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 19, 1382 (1985)
- Э. Беккенбах, Р. Белламан. Неравенства (М., Мир, 1965)
- А.Г. Цыпкин, Г.Г. Цыпкин. \it Математические формулы (М., Наука, 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
