Вышедшие номера
Исследование контактов малой площади различных металлов к германию дырочной проводимости
Ашмонтас С.1, Сужеделис А.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 17 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Изготовлены контакты In, Al, Au к p-Ge путем термического напыления (In, Al) или электрохимического осаждения (Au) металла и последующего отжига при различных температурах в атмосфере водорода. Исследованы вольт-амперные и вольт-ваттные характеристики контактов In-p-Ge, Al-p-Ge, Au-p-Ge с использованием импульсов тока или СВЧ излучения в интервале температур решетки 80/300 K. В случае контактов In-p-Ge влияние температуры отжига на характеристики пренебрежимо мало, однако для контактов с Al и Au оно становится существенным. В диодах Au-p-Ge зависимость сигнала от действующей СВЧ мощности немонотонна. Вольт-амперная и вольт-ваттная характеристики диодов зависят от сопротивления контакта. Показано, что этот эффект может быть уменьшен за счет использования контакта в виде узкой полосы.