Исследовалась низкотемпературная (T=4.2 K) фотолюминесценция ядерно-легированных кристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского (HP, LP LEC) и облученных флюенсом тепловых нейтронов Phi=5·10¹⁷ см^-2 при отношениях потоков тепловых и быстрых нейтронов в диапазоне 10-200. Установлено, что на начальных стадиях отжига облученных кристаллов до T<600^oC основной в спектрах люминесценции является полоса излучения с участием трансмутационных акцепторов германия. Остаточные акцепторы углерода в облученных кристаллах взаимодействуют с радиационными дефектами и образуют центры безызлучательной рекомбинации. Распад этих центров и стабилизация интенсивностей краевой и примесной (с участием акцепторов углерода) полос рекомбинационного излучения наблюдаются на заключительной стадии отжига при T=600-700^oC. Полученные экспериментальные зависимости интенсивностей краевой и примесной (с участием остаточных (С) и трансмутационных (Ge) акцепторов) полос излучения в процессе отжига кристаллов проанализированы с использованием моделей локализации трансмутационных примесей и примесно-дефектного взаимодействия в облученных кристаллах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.