Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs в GaAs
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1, Цацульников А.Ф.1, Алферов Ж.И.1, Федоров Д.Л.2, Бимберг Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
2Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 16 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Исследована фотолюминесценция напряженных квантовых точек InAs, созданных in situ в матрице GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что положение линии люминесценции сдвигается в сторону меньших энергий с увеличением эффективной толщины InAs от 1.7 до примерно 2.7 монослоя и остается практически неизменным при дальнейшем осаждении InAs. Несмотря на эффект насыщения зависимости длины волны излучения от количества осажденного InAs, при комнатной температуре достигнуто излучение с длиной волны 1.24 мкм в квантово-размерных гетероструктурах на подложках GaAs. Интегральная интенсивность фотолюминесценции закономерно возрастает в диапазоне толщин 1.7/3 монослоя InAs, после чего наблюдается участок спада интенсивности. Полученные зависимости объясняются в рамках предложенной модели, согласно которой оптический диапазон излучения напряженных квантовых точек с длинноволновой стороны ограничен излучением из точек, размеры которых близки к критическим.
- S.L. Yellen, R.G. Waters, P.K. York, K.J. Beernink, J.J. Coleman. Electron. Lett., 27, 552 (1991)
- D. Saito, H. Yonezu, T. Kawai, M. Yokozeki, K. Pak. Japan. J. Appl. Phys., 33, L1205 (1994)
- P. Ribas, V. Krishnamoorthy, R.M. Park. Appl. Phys. Lett., 57, 1040 (1990)
- P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
- A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, V.M. Ustinov. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept. 2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 385
- K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. J. Appl. Phys., 33, L1710 (1994)
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zn.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
- Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, A. Nayfonov, T.R. Ramachandran, A. Konkar, A. Madhukar. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 383
- J.-M. Gerard, J.-B. Jean, J. Lefebvre, J.M. Moison, N. Lebouche, F. Barthe. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 381
- J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
- A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, V.M. Ustinov. Semicond., 28, 363 (1994)
- H. Kitabayashi, T. Waho. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 415
- D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys., 66, 1739 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
