Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Изучены закономерности формирования пористого фосфида галлия (por-GaP) при электрохимической реакции анодирования в растворе на основе плавиковой кислоты. Данные растровой электронной микроскопии свидетельствуют о макропористом характере структуры por-GaP. Исследованы спектры рамановского рассеяния света и фотолюминесценции в зависимости от плотности тока анодирования. Обнаружено усиление краевой люминесценции и рамановского рассеяния, а также изменение фононного спектра в por-GaP, которые связываются с эффектами пространственного ограничения в субмикронных элементах пористой структуры.
- K.H. Jung, S. Shih, D.L. Kwong. J. Electrochem. Soc., 140, 346 (1993)
- С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач, А.М. Евстигнеев, Э.Б. Каганович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 27, 3 (1994)
- А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994)
- R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
- L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
- S. Hayash, H. Kanamori. Phys. Rev. B, 26, 7079 (1982)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. \it Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
