Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эллипсометрическое исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериодических с InP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Слои твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериодических с подложкой InP, выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены эллипсометрические измерения на длине волны 6328 Angstrem. В результате анализа эллипсометрических параметров определены значения показателя преломления и коэффициента экстинкции для ряда твердых растворов.
- Р. Аззам, Н. Башара. \it Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
- H. Burkhard, H.W. Dinges, E. Kuphal. J. Appl. Phys., 53, 655 (1982)
- D.E. Asphes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys. 60, 754 (1986)
- Т.Л. Макарова, Л.В. Шаронова, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1830 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
