Исследованы пленки a-SiN_x : H, полученные методом осаждения в плазме емкостного тлеющего разряда на повышенной частоте 55 МГц из смеси силан+азот. Обнаружено, что при выращивании a-SiN_x : H на частоте 55 МГц по сравнению с 13.56 МГц требуются меньшие концентрации азота в рабочих смесях, чтобы проявилось влияние азота на электронные свойства получаемых пленок. Наблюдалось изменение электронных свойств исследованных пленок с изменением содержания азота в газовой фазе X= [N]/[Si]. Данные инфракрасной спектроскопии показали, что водород формирует химические связи преимущественно с кремнием. Азот в пленках, полученных при X<8, по-видимому, ведет себя как примесь, образующая химическую связь с решеткой кремния, тогда как при X>8 образуется широкозонный сплав типа a-SiN_x : H.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.