Исследованы ВАХ туннельных МДП контактов на основе объемных монокристаллов PbTe<In>. Проведен анализ зависимостей дифференциальной проводимости контактов sigma (V)= dI/dV (V) и ее производной sigma'(V) = dsigma/dV, в том числе и на контактах на основе кристаллов n-PbTe без примеси In. Выявлены особенности ВАХ, не зависящие от технологии изготовления МДП контактов и присущие только МДП структурам на PbTe<In>. Получено независимое подтверждение существования метастабильных состояний In в PbTe. Наиболее яркое их проявление - гистерезис sigma(V) при изменении направления развертки V (при T < 20 K). Интерпретация гистерезиса проведена в рамках представления о локальной деформации в системе примесный центр + решетка" при изменении зарядового состоянии центра (АЛБ феноменологии). Дано объяснение аномальному поведению sigma'(V) при смещениях, соответствующих горизонтальному участку гистерезисной петли sigma (V). Анализ изменения гистерезиса sigma(V) и других особенностей sigma в зависимости от температуры эксперимента привел к предположению о преимущественно парном заполнении электронами примесных состояний In в PbTe. При этом пиннинг энергии varepsilon_F определяется двукратно заряженными примесными состояниями, одноэлектронный уровень лежит выше varepsilon_F на ~35 мэВ. Из эксперимента сделана оценка величины энергии кулоновского отталкивания двух электронов на примесном центре U~= 60-70 мэВ. Сделано предположение о том, что пик sigma при V~= 125 мВ может быть связан с непосредственным проявлением пустого примесного уровня varepsilon₀ в туннельном токе, в этом случае varepsilon₀- varepsilon_c=170-175 мэВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.