По методу эмпирического псевдопотенциала с учетом спин-орбитального взаимодействия проведен расчет зонной структуры (ЗС) (О(И)-сверхрешеток (СР) (AlAs)_n(GaAs)_n (n=1, 2,... 12) в центре (0, 0, 0) и в боковой точке (2pi/a, 0, 0) зоны Бриллюэна (ЗБ) СР. Показано, что СР (AlAs)₁₂(GaAs)₁₂ является прямозонной - дно зоны проводимости и вершина валентной зоны происходят из центра ЗБ GaAs. СР с n=2, 3,... 11 являются псевдопрямозонными: вершина валентной зоны происходит из центра ЗБ GaAs, а дно зоны проводимости - из X_6z^c-состояния AlAs. Дно зоны проводимости псевдопрямозонных СР в точке (2pi/a, 0, 0) ЗБ СР, формируемое в основном состояниями X_6x^c и X_6y^c AlAs, оказывается расположенным выше X_6z^c-дна на величину =<sssim 0.06 эВ в СР с нечетными n и на величину =<sssim 0.14 эВ в СР с четными n. В СР (AlAs/GaAs)₁ дно зоны проводимости оказывается в боковой точке ЗБ СР При этом расстояние от X_6x,y^c- до X_6z^c-уровня составляет 0.001 эВ. Показано, что в идеальных СР (AlAs)_n(GaAs)_n имеет место немонотонная зависимость ширины запрещенной зоны E_g(n) от числа n монослоев. Именно при монотонном убывании E_g(n) в рядах СР (AlAs)_n(GaAs)_n с четными либо нечетными n имеют место неравенства E_g(n) > E (n-1) при n=3, 5, 7, 9, 11. Расчет плотности заряда блоховских состояний, проведенный для вершины валентной зоны и дна зоны проводимости, дает картину преимущественной локализации тяжелых дырок в GaAs-слое, а электронов в AlAs-слое для краезонных СР (AlAs)_n(GaAs)_n (n=1, 2,... 11) и в GaAs-слое для прямозонной СР (AlAs)₁₂(GaAs)₁₂. В результате расчета ЗС получены энергии дипольных переходов из валентной зоны в зону проводимости и соответствующие им поляризационные зависимости. Проведено сопоставление с имеющимися экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.