Приведены результаты исследования структуры точечных дефектов, возникающих в высокочистом поликристаллическом селениде цинка при облучении быстрыми электронами с энергией 6 МэВ при T=300 K. Для облученных образцов было характерно наличие широкой полосы фотолюминесценции при 544 нм, интенсивность которой увеличивалась при росте дозы электронов, отжиге в жидком цинке и исчезала в парах селена, что указывает на ее связь с точечными дефектами, возникающими при облучении в подрешетке селена. Температурная зависимость фотолюминесценции и исследования фотолюминесценции с разрешением во времени полосы при 544 нм показали, что она связана с изолированным центром свечения, химическая природа и энергетическое положение которого были установлены из исследования методами ЭПР и фото-ЭПР. Измерения ЭПР показали, что указанный центр имеет изотропный g-фактор, равный 2.0085±0.0005. Спектр ЭПР имел два вида расщеплений, одно из которых изотропное с A=(1.4± 0.1)·10^-4 см^-1, другое - анизотропное с A= (10.9± 0.3)· 10^-4 см^-1 и B= (2.1 ± 0.3) ·10^-4 см^-1. Наблюдаемая сверхтонкая структура обусловлена взаимодействию с двенадцатью эквивалентными ядрами ⁷⁷Se, а суперсверхтонкая структура - с ядрами ⁷⁷Se во второй селеновой координационной сфере. Установлено, что такому центру может соответствовать однократно положительно заряженная вакансия селена (F⁺-центр). Определена оптическая энергия ионизации этого центра из спектральной зависимости сечения фотоионизации, которая составила 1.75 эВ, отсчитанная от дна зоны проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.