Представлено теоретическое описание электронных свойств дефектов типа A-центров. Такие дефекты представляют собой вакансию в Si, две связи которой замкнуты друг на друга, а две другие - примесным атомом (Cu, Ni, Ag, Pd, Au и Pt). Анализ основан на исследовании электронных состояний связи между атомами Si, ослабленной по сравнению с нормальными связями в кристаллическом Si. Именно эти состояния ответственны за электронные свойства дефектов типа A-центров в n-Si. Рассмотрение проведено в рамках двухузельного гамильтониана Андерсона с учетом деформации структуры дефекта. С использованием экспериментальных данных определены параметры, характеризующие A-центр [величина хаббардовского взаимодействия, интеграл переноса и энергия (на 1 электрон) деформации структуры дефекта].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.