Построена теория электропоглощения и прямого межзонного туннелирования в обрата смещенных p⁺-i-n⁺-структурах с однородно легированным и точно компенсированных i-слоем, учитывающая влияние крупномасштабных флуктуации распределения примесей. Расчет показателя экспоненты Q в зависимостях средних коэффициента поглощения alpha и скорости туннелирования g от толщины w и легирования i-слоя, напряжения смещения U и энергии кванта h omega проведен методом оптимальной флуктуации для произвольных закона дисперсии в запрещенной зоне и значений U, w, homega. В предельных случаях полученная общая формула для Q совпадает с результатами ранее опубликованных работ Меркулова и Переля (ФТП. 1973. Т. 7. В. 6. С. 1197-1202), Райха и Рузина (ФТП. 1985. Т. 19. В. 7. С. 1217-1225). Показано, что при больших отрицательных смещениях полученные результаты применимы для расчета alpha и g в диффузионных p-n-переходах с линейным распределением примесей в истощенном слое, которые являются наиболее подходящими объектами для экспериментального исследования влияния крупномасштабных флуктуации на туннельные эффекты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.