Исследовано влияние пространственного переноса электронов между слоями гетероструктуры с селективным легированием из GaAs/Al_xGa_1-xAs на статические вольтамперные и СВЧ характеристики полевых транзисторов на основе этих структур. Состояния электронов в узкозонном полупроводнике описаны в приближении треугольной потенциальной ямы, а разогрев электронов учитывается с помощью системы гидродинамических уравнений, решаемых совместно с уравнением Пуассона. Показано, что роль пространственного переноса растет с увеличением тока, протекающего в канале, т. е. с уменьшением отрицательного напряжения на затворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.