Проведено сопоставление электрофизических свойств слоев проводимости n-типа, полученных имплантацией в арсенид индия ионов аргона и серы. Установлено, что при дозах Phi > 5 ·10¹⁴ см^-2 электрическая активность серы проявляется, начиная с температуры отжига ~300^oС. Коэффициент использования серы при этом в интервале доз 5· 10¹⁴-10¹⁶ см^-2 меняется от 0.3 до 0.04. Легированием ионами серы изготовлены планарные n⁺-p-переходы на InAs. Проведены исследования электрофизических свойств изготовленных n⁺-p-переходов в зависимости от температуры. Показано, что прямой ток является суммой двух компонентов - диффузионного и рекомбинационного. При нулевом смещении при 77 К величина дифференциального сопротивления (R_d), умноженная на площадь n⁺-p-перехода, достигает 10⁹ Ом · см². Зависимость R_d от температуры описывается в рамках генерационно-рекомбинационного механизма протекания тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.