Изложены результаты изучения спектров низкотемпературной (2 K) фотолюминесценции эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках эпитаксией из газовой фазы в открытой хлоридной системе. Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP/Si имеют все характерные особенности (вплоть до линии экситона, связанного на доноре), присущие эпитаксиальным слоям GaP, выращенным на подложках GaP. Интенсивность полос фотолюминесценции полученных слоев GaP/Si сравнима с интенсивностью соответствующих полос в слоях GaP/GaP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.