Комплекс методов (спектры электролюминесценции, спектры DLTS и фотолюминесценции, вольт-амперные, вольт-фарадные и ватт-амперные характеристики, ТИЭЗ) был использован для изучения преобразования дефектов в светоизлучающих GaP : N-диодах в процессе длительной инжекции в активный слой неравновесных носителей. Показано, что преобразование дефектов обусловлено диффузией атомов Zn из высоколегированной p-области под контактом к p-n-переходу, релаксацией напряжений в p-n-переходе, сопровождающейся рождением точечных дефектов и диффузией примесей с участием вакансий. Обсуждаются механизмы всех исследованных процессов, измерены параметры центров и анализируется их природа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.