Исследовано влияние легирования фосфором аморфного гидрированного кремния a-Si : H) на изменение его темновой и фотопроводимости под действием длительного освещения (эффект Стеблера-Вронского). Измерения при комнатной температуре проводились на пленках, полученных разложением в ВЧ тлеющем разряде смеси газов моносилана и фосфида. Получены зависимости положения уровня Ферми от времени освещения пленок a-Si : H с различным уровнем легирования, а также корреляция изменения фотопроводимости и положения уровня Ферми в процессе оптической деградации. Результаты объясняются влиянием легирования на изменение плотности состояний в щели подвижности a-Si : H при освещении и сменой механизмов рекомбинации неравновесных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.